参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMG6601LVT-7n:
说明	功率MOSFET   TSOT-26
起订量	3
最小包	3
现货	395 [库存更新时间：2025-04-10]
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	422pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TSOT-26
连续漏极电流Id	3.8A,2.5A
Pd-功率耗散(Max)	1.3W
Qg-栅极电荷	12.3nC,13.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	55mΩ,110mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	500mV,400mV
上升时间	7.4ns,4.6ns
下降时间	15.6ns,2.2ns
典型关闭延迟时间	31.2ns,18.3ns
典型接通延迟时间	1.6ns,1.7ns
系列	DMG6601
通道数量	2Channel
配置	Dual
FET类型	N-Channel